高盛認為記憶體拋售已超跌基本面,維持KOSPI 12,000點目標價,並預期DRAM短缺將持續至2030年。
高盛認為記憶體拋售已超跌基本面,維持KOSPI 12,000點目標價,並預期DRAM短缺將持續至2030年。

高盛維持KOSPI 12個月目標價於12,000點,認為記憶體拋售反映的週期悲觀程度超過數據所支持的現實,而受AI運算需求帶動,DRAM供應短缺將延續至2030年。
高盛亞洲首爾交易員Justin Park在8月7日的報告中表示:「市場目前定價所反映的基本面悲觀程度,已超過實際情況。」
KOSPI自6月22日高點累計下跌39%後,於7月31日飆升17.9%,創下該指數史上最大單日漲幅。這波反彈前經歷了槓桿型交易所交易基金(ETF)的洗牌、融資保證金曝險下降,以及避險基金持倉回落,令市場持倉結構更加乾淨。
該觀點建立在結構性供需失衡之上:AI運算需求應能令DRAM供應維持緊張至2030年,支撐定價能力。三星電子在第二季以39%市佔率重奪DRAM龍頭地位,SK海力士則滑落至26%,美光科技將差距收窄至一個百分點。
高盛的偏多立場對沖了引發這波拋售的三項隱憂。首先,輝達正為其「Rubin Ultra」晶片評估低規格HBM配置——根據TrendForce,可能採用8層HBM4e、12層HBM4,或8層HBM4以取代原規劃的12層HBM4e基準方案。高盛將短缺本身視為結構性失衡的證據:若Rubin Ultra搭載低規格記憶體出貨,執行大型語言模型工作負載的客戶將需要更多GPU,進而推高整體運算需求。
其次,SK海力士早期的長期供應協議將大量產能鎖定在舊一代HBM3E生產線上,限制了其轉向常規DRAM以及為AMD、Meta和Google開發的下一代HBM4的靈活性。這種產能鎖定已反映在市佔率上:SK海力士DRAM市佔率在第二季跌至26%,而三星升至39%。高盛表示,SK海力士下一階段的競爭力取決於其能否快速轉換生產線。
第三,SanDisk業績超出預期,但未達最樂觀的市場預測。該公司公布第四季營收897億美元,高於830億至850億美元的一致預期,但指引第一季營收介於103億至108億美元,略低於部分市場人士預期的1,082億美元。消費者和邊緣運算需求——智慧型手機和個人電腦——按季下跌32%,管理層預期到2027年前不會有顯著復甦。
兩項需求端信號支持偏多論點。中國DRAM龍頭長鑫存儲拒絕了蘋果的降價要求,因華為和小米的需求仍然強勁,長鑫定價已與三星和SK海力士看齊。另一方面,AI新創DeepSeek計劃「顯著」上調API價格,標誌著大規模補貼AI推論時代的結束——高盛將此轉變與DeepSeek在2026年底至2027年潛在IPO前的資本需求,以及其在內蒙古建設的1吉瓦資料中心聯繫起來。
高盛亦認為DRAM的結構性限制正在收緊。NAND可透過增加堆疊層數擴充產能——兩三年內有望達到500至600層——但DRAM的製程微縮空間已近乎耗盡。1c節點實際上已達11奈米,10奈米可能是最後可實現的節點,這意味著良率下降以及對EUV設備和無塵室擴建的資本支出上升,將結構性支持記憶體週期。
對韓股的增持評級存在風險:39%的回撤和歷史性的單日反彈顯示持倉可以多劇烈地擺動,而SK海力士的市佔率流失加上輝達的HBM規格審查,都是對該論點的現實威脅。若DRAM短缺能貫穿整個十年,高盛12,000點的目標價意味著當前水準仍有可觀的上行空間。
本文僅供參考,不構成投資建議。