DRAM反壟斷訴訟瞄準三星 記憶體價格四年飆漲700%

美國聯邦反壟斷訴訟指控三星、SK海力士與美光，三家記憶體巨頭利用AI轉向高頻寬記憶體（HBM）作為掩護，在四年內聯手將消費級DRAM價格推高700%。

6月25日在加州聯邦法院提起的集體訴訟——這是首宗針對AI記憶體超級循環的終端用戶法律挑戰——指控這三家控制全球約90% DRAM營收的公司，系統性地將先進製造產能轉移至AI加速器所需的HBM，同時限制傳統DDR3與DDR4記憶體的供應。

「被告利用AI熱潮作為藉口，限制通用型記憶體的產出，迫使消費者與小型企業支付在三個季度內翻漲四倍的價格，」訴狀中指控，並引述這三家公司已將70%至90%的先進晶圓產能協同轉移至HBM生產。本案為 Garciaguirre v. Samsung Electronics, No. 5:26-cv-06345，分配至加州北區聯邦地方法院法官 Noel Wise 審理。

17名原告——包括14名個人消費者與3家小型PC企業——於6月25日提起訴訟。訴狀援引業界有案可查的歷史模式：三星與海力士半導體曾分別就1999年至2002年間的價格操縱行為，向美國司法部認罪，各自支付3億美元與1.85億美元罰款，多名高階主管入獄服刑。另一起2018年針對2016至2017年上升週期提出類似指控的集體訴訟，於2020年被駁回，並在2022年上訴維持原判，第九巡迴上訴法院裁定相關行為更符合合法的獨立商業判斷，而非非法協議。

該訴訟為記憶體產業在AI驅動的定價敘事中引入了一個法律變數。若本案能夠在初步動議階段存活並進入證據開示程序，有關產能配置決策的內部文件——包括有多少產能被轉移至HBM以及何時轉移——將面臨司法審查。光是這一前景，就可能對推動記憶體類股創下歷史新高的結構性供應限制構成壓力。

指控背後的經濟邏輯

訴狀所依據的數字相當驚人。SK海力士報告2026年第一季營業利潤為37.6兆韓元（278億美元），營收達52.6兆韓元（355億美元），營業利潤率約71.5%。美光最新季度毛利率達到84.9%，超越輝達（Nvidia）。三星第二季營業利潤較去年同期成長約19倍。

如此高的獲利能力源於記憶體製造方式的結構性轉變。每生產1GB的HBM所需晶圓產能約為標準DDR5 DRAM的三倍，因為其堆疊、矽穿孔（TSV）形成以及CoWoS共同封裝增加了複雜的製程步驟。隨著SK海力士將80%至90%的先進產能分配給HBM，三星的比例也與之相當，美光則約有70%用於HBM與高階DDR5，通用型記憶體的供應已遭到系統性壓縮。這三家公司2026年的合計資本支出預計達535億美元，其中幾乎所有新增產能都被鎖定在高端產品線。

結果是：根據集邦科技（TrendForce）數據，DDR5合約價格在第二季季增58%至63%，而NAND快閃記憶體合約價格則上漲70%至75%。三家製造商的庫存水位約為四周，遠低於八至十二周的健康區間。

成本向下游擴散

價格飆升已滲透至更廣泛的科技供應鏈。蘋果（Apple）與戴爾（Dell）均宣布漲價，理由是記憶體成本上升，兩家公司股價均在單一交易日內下跌超過5%。美光已簽訂16份不可取消的戰略客戶協議，涵蓋其20%的DRAM產能及三分之一的NAND產能，鎖定約1000億美元的最低營收，並收取了220億美元的客戶現金保證金——這實際上是透過合約承諾將高價鎖定。

對於缺乏蘋果或戴爾定價權的小型PC企業而言，記憶體成本上漲已構成生存威脅。三家經營小型PC業務的原告代表了一批更廣泛的下游公司，這些企業既無法轉嫁成本上漲，在一個90% DRAM由三家業者控制的市場中也別無替代供應來源。

展望：法律尾部風險遇上結構性需求

本案發生之際，SK海力士完成了外國企業在美國史上最大規模的上市——一筆265億美元的納斯達克首次公開募股（IPO），上週五收盤價較發行價上漲13%，公司估值約達1.27兆美元。會長崔泰源向CNBC表示，客戶對更多記憶體容量的需求是無法滿足的，AI代理與實體AI機器人正在驅動結構性而非週期性的需求。

然而，法律風險不容小覷。美國反壟斷集體訴訟面臨三倍賠償的威脅，而記憶體產業先前的刑事定罪記錄，為原告提供了一個法官與陪審團可能予以考量的既有行為模式。三星雖是首位被點名的被告，但訴狀針對的是所有三家製造商。若法院裁定產能轉移構成協同行為而非獨立商業判斷，可能徹底改變記憶體公司在AI與通用型市場之間分配生產的方式。

下一個程序性里程碑將是這三家公司提出駁回動議，預計在6月25日提交後60天內提出。在此之前，該訴訟仍屬於尾部風險——但記憶體產業創紀錄的利润率與股價尚未將此風險納入定價。

本文僅供資訊參考，不構成投資建議。