Weebit Nano Ltd. tham gia vào việc phát triển và thương mại hóa công nghệ silicon oxide và bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên điện trở (ReRAM). Công ty có trụ sở tại Melbourne, Victoria. Công ty đã niêm yết cổ phiếu lần đầu ra công chúng (IPO) vào ngày 21 tháng 12 năm 2010. Bộ nhớ điện trở (ReRAM) của công ty đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng về các giải pháp bộ nhớ không bay hơi (NVM) hiệu suất cao và tiết kiệm điện năng cho nhiều sản phẩm điện tử mới như thiết bị Internet of Things (IoT), điện thoại thông minh, robot, xe tự hành, công nghệ truyền thông thế hệ thứ năm (5G) và trí tuệ nhân tạo. Công nghệ ReRAM của họ dựa trên các vật liệu thân thiện với quy trình sản xuất và có thể dễ dàng tích hợp với các quy trình hiện có. Công ty đang phát triển các tài sản trí tuệ ReRAM (IP) mà khách hàng có thể nhúng vào thiết kế hệ thống trên chip (SoC) của họ. Công ty cũng đang phát triển công nghệ bộ nhớ rời rạc (độc lập), hướng đến các ứng dụng như bộ nhớ lớp lưu trữ, bộ nhớ bền vững và thay thế cho bộ nhớ flash NOR.