SanDisk đang đẩy nhanh quá trình thương mại hóa bộ nhớ Flash băng thông cao (HBF), dời lịch trình phát triển lên khoảng sáu tháng để thách thức các đối thủ SK Hynix và Samsung trong cuộc đua định nghĩa lớp lưu trữ tiếp theo tập trung vào AI. Công ty hiện có kế hoạch ra mắt các sản phẩm nguyên mẫu vào nửa cuối năm nay.
"Chìa khóa trong hạ tầng AI không phải là cuộc cạnh tranh hiệu năng của một sản phẩm đơn lẻ, mà là sự tối ưu hóa của toàn bộ hệ sinh thái," Ahn Hyun, Chủ tịch kiêm Giám đốc Phát triển của SK Hynix, phát biểu gần đây, nhấn mạnh bối cảnh hợp tác và cạnh tranh.
Theo một báo cáo từ ETNews, SanDisk đã bắt đầu các cuộc thảo luận với các đối tác thiết bị và vật liệu để xây dựng dây chuyền sản xuất nguyên mẫu HBF. Một dây chuyền thử nghiệm dự kiến sẽ đi vào hoạt động vào nửa cuối năm 2026, với mục tiêu sản xuất hàng loạt thương mại vào năm 2027. Lịch trình được đẩy nhanh cho thấy ý định mạnh mẽ nhằm chiếm lĩnh lợi thế của người đi đầu trong một thị trường được kỳ vọng sẽ bổ sung cho lĩnh vực Bộ nhớ băng thông cao (HBM) đang bùng nổ.
Việc thúc đẩy HBF giải quyết khoảng cách cấu trúc ngày càng tăng trong phân cấp bộ nhớ cho suy luận AI. Trong khi HBM cung cấp băng thông vô song cho việc xử lý, dung lượng của nó lại hạn chế. HBF nhằm giải quyết vấn đề này bằng cách xếp chồng NAND flash với công nghệ thông qua lỗ xuyên silicon (TSV), cung cấp dung lượng lưu trữ gấp khoảng 10 lần HBM trong khi vẫn duy trì băng thông cao. Điều này làm cho nó trở thành một lớp trung gian lý tưởng giữa HBM và các ổ cứng thể rắn (SSD) dung lượng cao, tốc độ chậm hơn.
Bối cảnh cạnh tranh nóng dần lên
Ba nhà sản xuất bộ nhớ lớn đang thực hiện các cách tiếp cận khác nhau đối với thị trường HBF. SanDisk, với kinh nghiệm sâu dày trong cả NAND flash và đóng gói, đang tận dụng nền tảng công nghệ hiện có của mình. Vì HBF và HBM chia sẻ các quy trình sản xuất tương tự, các chuỗi cung ứng hiện có cho thiết bị TSV và vật liệu liên kết dự kiến sẽ chuyển đổi trực tiếp, mang lại lợi thế đáng kể cho các nhà sản xuất HBM đã có vị thế.
SK Hynix, một công ty dẫn đầu trong không gian HBM, đang tích cực thúc đẩy tiêu chuẩn hóa cho HBF thông qua nhóm công tác Open Compute Project (OCP). Công ty tin rằng việc thiết lập HBF như một tiêu chuẩn ngành là rất quan trọng cho sự phát triển của toàn bộ hệ sinh thái AI.
Trong khi đó, Samsung Electronics đã âm thầm xây dựng năng lực của mình, thực hiện nghiên cứu HBF từ đầu những năm 2020 và gần đây đã tăng cường mua lại các bằng sáng chế liên quan đến HBF. Mặc dù Samsung chưa đưa ra thông báo chính thức về quy mô như SK Hynix, nhưng hoạt động bằng sáng chế của họ cho thấy một sự tập trung chiến lược vào công nghệ này. Các quan sát viên trong ngành dự đoán cả Samsung và SanDisk sẽ tích hợp HBF vào các sản phẩm từ Nvidia, AMD và Google trong khoảng cuối năm 2027 đến đầu năm 2028.
Một tầng lưu trữ mới cho kỷ nguyên AI
Việc thương mại hóa HBF đang đến nhanh hơn dự kiến. Kim Joungho, giáo sư tại Viện Khoa học và Công nghệ Tiên tiến Hàn Quốc, người thường được gọi là "cha đẻ của HBM", gần đây đã tuyên bố rằng việc áp dụng HBF đang "tiến triển rõ rệt" và sẽ có chu kỳ phát triển ngắn hơn nhiều so với HBM, nhờ vào kinh nghiệm thu được từ quá trình phát triển HBM. Ông dự báo HBF có thể vượt qua thị trường HBM về quy mô vào khoảng năm 2038.
Đối với các nhà đầu tư, cuộc đua HBF đại diện cho một sự mở rộng đáng kể của tổng thị trường có thể tiếp cận cho các nhà sản xuất bộ nhớ bên ngoài HBM. Thành công của công nghệ này sẽ không chỉ mang lại lợi ích cho cổ phiếu của SanDisk (Western Digital), SK Hynix và Samsung, mà còn cho các nhà cung cấp thiết bị và vật liệu thượng nguồn, những người đã đầu tư mạnh mẽ vào hệ sinh thái HBM.
Bài viết này chỉ mang tính chất thông tin và không cấu thành lời khuyên đầu tư.
