輝達傳聞導致KOSPI指數下跌10%後反彈
一份關於輝達計劃在其三月GTC大會上發布使用Groq片上SRAM架構的新AI推論晶片的報告,在韓國股市引發了衝擊波。投資者對這一消息的反應是積極拋售記憶體晶片股,原因是擔心轉向SRAM會侵蝕對高頻寬記憶體(HBM)和DRAM的需求,而HBM和DRAM是三星電子和SK海力士等巨頭的主要產品。這種拋售壓力導致韓國基準KOSPI指數在兩天內下跌超過10%,創下2008年以來最嚴重的跌幅。
然而,這次下跌是短暫的。隨著市場分析澄清了SRAM技術的技術和經濟現實,市場出現了強勁反彈。KOSPI指數回升11%,而作為恐慌中心的SK海力士和三星電子股價分別飆升15%和13%,扭轉了此前的損失。
SRAM的成本和密度限制了其替代HBM的可能性
市場最初的恐慌源於對記憶體技術的基本誤解,KIS分析師指出這是一種「對記憶體的糟糕理解」。儘管SRAM在訪問速度方面具有優勢,但與DRAM相比,其物理密度較低,生產成本也顯著更高。在相同的儲存容量下,SRAM晶片所需的矽片面積是DRAM晶片的五到十倍,這使得它在大規模AI模型中作為主要儲存解決方案的成本過高。
歷史上,SRAM的作用僅限於對極低延遲要求苛刻的應用,例如CPU快取或片上緩衝區。它並非為儲存訓練和運行大型AI模型所需的龐大數據集而設計,HBM和DRAM因其卓越的密度和成本效益而在此方面表現出色。
多樣化的記憶體市場預示著更大的總體可尋址市場
輝達對SRAM架構的探索並非威脅,而是一種優化特定高價值AI工作負載性能的戰略舉措。這項技術非常適合需要實時響應和最小數據移動的應用,例如機器人、自動駕駛和專業數據中心推論任務。這種趨勢已在實踐中,OpenAI正在部署Cerebras的SRAM晶片以提供高價推論服務。
SRAM解決方案的採用預計將創建一個更複雜、多層次的記憶體格局。在這種未來的層級結構中,SRAM將服務於超低延遲細分市場,而HBM和DRAM仍將是用於大規模模型訓練和通用伺服器的主力。分析師總結認為,這種多樣化最終將擴大整個記憶體產業的總體可尋址市場(TAM),創造新的增長機會。