SanDisk está acelerando la comercialización de la memoria Flash de alto ancho de banda (HBF), adelantando su cronograma de desarrollo aproximadamente seis meses para desafiar a sus rivales SK Hynix y Samsung en la carrera por definir la próxima capa de almacenamiento enfocada en la IA. La compañía planea ahora lanzar productos prototipo en la segunda mitad de este año.
"La clave en la infraestructura de IA no es una competencia de rendimiento de un solo producto, sino la optimización de todo el ecosistema", afirmó recientemente Ahn Hyun, presidente y director de desarrollo de SK Hynix, destacando el panorama colaborativo y competitivo.
Según un informe de ETNews, SanDisk ha iniciado conversaciones con socios de equipos y materiales para construir su línea de producción de prototipos HBF. Se espera que una línea piloto esté operativa en la segunda mitad de 2026, con el objetivo de producción masiva comercial en 2027. El cronograma acelerado indica una fuerte intención de capturar la ventaja de ser el primero en un mercado que se espera complemente al floreciente sector de la memoria de alto ancho de banda (HBM).
El impulso por la HBF aborda una brecha estructural creciente en la jerarquía de memoria para la inferencia de IA. Mientras que la HBM proporciona un ancho de banda inigualable para el procesamiento, su capacidad es limitada. La HBF pretende solucionar esto apilando flash NAND con tecnología de vía a través de silicio (TSV), ofreciendo aproximadamente 10 veces la capacidad de almacenamiento de la HBM manteniendo un alto ancho de banda. Esto la convierte en una capa intermedia ideal entre la HBM y las unidades de estado sólido (SSD) de alta capacidad y más lentas.
El panorama competitivo se calienta
Los tres principales fabricantes de memoria están adoptando enfoques distintos para el mercado de la HBF. SanDisk, con su profunda experiencia tanto en flash NAND como en empaquetado, está aprovechando su base tecnológica existente. Debido a que la HBF y la HBM comparten procesos de fabricación similares, se espera que las cadenas de suministro existentes para equipos TSV y materiales de unión realicen una transición directa, otorgando una ventaja significativa a los actores establecidos de HBM.
SK Hynix, líder en el espacio de HBM, está impulsando activamente la estandarización para HBF a través del grupo de trabajo del Open Compute Project (OCP). La empresa cree que establecer la HBF como un estándar de la industria es crucial para el crecimiento de todo el ecosistema de IA.
Mientras tanto, Samsung Electronics ha estado construyendo silenciosamente sus capacidades, realizando investigaciones sobre HBF desde principios de la década de 2020 y aumentando recientemente su adquisición de patentes relacionadas con HBF. Aunque Samsung no ha hecho un anuncio formal sobre la escala como SK Hynix, su actividad en patentes indica un enfoque estratégico en la tecnología. Los observadores de la industria esperan que tanto Samsung como SanDisk integren HBF en productos de Nvidia, AMD y Google entre finales de 2027 y principios de 2028.
Un nuevo nivel de almacenamiento para la era de la IA
La comercialización de la HBF está llegando más rápido de lo previsto. Kim Joungho, profesor del Instituto Avanzado de Ciencia y Tecnología de Corea, a menudo llamado el "padre de la HBM", declaró recientemente que la adopción de la HBF está "avanzando visiblemente" y tendrá un ciclo de desarrollo mucho más corto que el de la HBM, gracias a la experiencia ganada con el desarrollo de esta última. Proyecta que la HBF podría superar al mercado de HBM en escala alrededor de 2038.
Para los inversores, la carrera por la HBF representa una expansión significativa del mercado total direccionable para los fabricantes de memoria más allá de la HBM. El éxito de la tecnología no solo beneficiará a las acciones de SanDisk (Western Digital), SK Hynix y Samsung, sino también a los proveedores de equipos y materiales ascendentes que ya han invertido fuertemente en el ecosistema HBM.
Este artículo tiene únicamente fines informativos y no constituye asesoramiento de inversión.
