Samsung Electronics ha desarrollado con éxito un prototipo de V-NAND de 900 capas, un salto tecnológico que podría restablecer su dominio en el ferozmente competitivo mercado mundial de memorias. El prototipo, confirmado por la empresa, utiliza una novedosa técnica de unión para crear el recuento de capas más alto jamás alcanzado, posicionando a Samsung para contrarrestar a sus rivales y satisfacer la explosiva demanda del sector de la inteligencia artificial.
Una fuente de la industria dijo al medio surcoreano ETNews que el logro demuestra a los clientes globales que Samsung sigue siendo el líder tecnológico. El desarrollo es fundamental mientras Samsung prepara su V-NAND de décima generación (V10), con más de 400 capas, para la producción en masa con el fin de cerrar la brecha con SK Hynix, que actualmente lidera el mercado con su producto de 321 capas.
El prototipo de 900 capas de Samsung se basa en una tecnología de "Unión de Celdas Múltiples" (CMB, por sus siglas en inglés), que une dos obleas de celdas de 450 capas independientes en una sola unidad funcional. Este enfoque marca un cambio fundamental respecto al método tradicional de apilamiento simple de la industria, donde los límites físicos como el alabeo de la oblea se vuelven graves en capas superiores. La empresa confirmó que resolvió estos problemas con un nuevo diseño de "Mandril Superior" de alta precisión y tecnología patentada de "Corrección de Superposición" para garantizar una alineación perfecta.
Este avance llega en un momento crucial para el mercado de la memoria flash NAND. Las construcciones de infraestructura de IA están impulsando una demanda sin precedentes de unidades de estado sólido (SSD) de alta capacidad, y TrendForce proyecta que los precios aumentarán entre un 85 y un 90 por ciento solo en el primer trimestre de 2026. La capacidad de Samsung para entregar primero un chip de mayor densidad podría asegurar lucrativos contratos de diseño para servidores de IA de próxima generación.
Un nuevo paradigma en el apilamiento
El paso del grabado de pila simple a la unión de múltiples obleas es una evolución significativa en la fabricación de NAND. Durante años, los productores han apilado verticalmente las celdas de memoria, donde un mayor número de capas se traduce directamente en más capacidad de almacenamiento por chip y mejor eficiencia energética. Sin embargo, grabar los canales microscópicos a través de cientos de capas en una sola pasada introduce tensiones que pueden doblar físicamente la oblea de silicio, destruyendo los rendimientos.
Al fabricar dos pilas de 450 capas más manejables y luego unirlas, Samsung ha creado un camino viable hacia la NAND de 1.000 capas, que la empresa tiene como objetivo para 2030. La empresa verificó el funcionamiento normal de las celdas en el prototipo de 900 capas, confirmando que la tecnología es funcional más allá de una demostración teórica.
La carrera competitiva hacia la producción
Si bien el prototipo de 900 capas le da a Samsung una hoja de ruta a largo plazo, la batalla inmediata es por la producción en masa de la décima generación. La japonesa Kioxia ha designado su NAND "BiCS10" de 332 capas como una prioridad máxima para el año fiscal 2026 (abril de 2026 - marzo de 2027). Mientras tanto, SK Hynix aspira a la producción total de su propio chip de más de 300 capas a principios de 2027.
La propia V-NAND V10 de décima generación de Samsung, que se espera que tenga unas 430 capas, ha visto retrasado su cronograma de producción en masa. Originalmente previsto para 2025, ahora no se espera una inversión a gran escala hasta al menos la primera mitad de 2026, según fuentes de la industria. El retraso se atribuye a los pronunciados desafíos técnicos de grabar pilas de capas ultraaltas y a un enfoque estratégico en su producción de memoria HBM, que genera mayores márgenes para los aceleradores de IA. Esto ha creado una ventana para los competidores, incluso cuando las firmas chinas como YMTC cierran la brecha tecnológica con sus propios productos de casi 300 capas.
La exitosa prueba de 900 capas proporciona a Samsung una poderosa herramienta de marketing y una cobertura tecnológica crucial. Envía una señal al mercado de que, mientras sus rivales luchan por la generación de 300 a 400 capas, Samsung ya está construyendo la base para la generación subsiguiente, creando potencialmente una barrera tecnológica más alta para los competidores a largo plazo.
Este artículo tiene únicamente fines informativos y no constituye asesoramiento de inversión.
