Samsung envía chips HBM de 12 capas, intensificando la rivalidad con Micron en la memoria para IA

Samsung Electronics comenzó a enviar sus chips de memoria HBM3E de 12 capas el 28 de mayo, desafiando directamente el liderazgo de Micron en el mercado de memoria de alto ancho de banda que impulsa los aceleradores de IA de Nvidia.

Samsung Electronics Co. envió sus primeros chips de memoria HBM3E de 12 capas el 28 de mayo, escalando una batalla a tres bandas con Micron Technology Inc. y SK Hynix Inc. por el dominio en el mercado de memoria para IA de 40 000 millones de dólares.

"Este es el producto HBM de mayor capacidad del mundo en producción en volumen, ofreciendo a los clientes de IA un 50 % más de memoria por pila", declaró Lee Jung-bae, vicepresidente ejecutivo de planificación de productos de memoria en Samsung, en un comunicado.

Los chips HBM3E de 12 capas ofrecen 36 gigabytes de capacidad por pila con un ancho de banda superior a 1,2 terabytes por segundo, según Samsung. Esto se compara con los 24 GB por pila del HBM3E de 8 capas de Micron, cuyos envíos en volumen comenzaron a principios de 2025. El producto de Samsung utiliza una unión de película no conductora por compresión térmica, una técnica de empaquetado que reduce el grosor de las capas en un 20 % en comparación con los métodos convencionales.

El momento sitúa a Samsung por delante de lo previsto en la carrera por el HBM, amenazando el reciente dominio de Micron. Las acciones de Micron, que se más que duplicaron en los últimos 12 meses gracias a la demanda de memoria para IA, enfrentan una presión renovada a medida que Samsung y SK Hynix intensifican sus productos competidores. Los envíos de HBM de Samsung se producen mientras Nvidia Corp. —el mayor consumidor de HBM— planea invertir 150 000 millones de dólares anuales en el ecosistema de IA de Taiwán, según declaró esta semana su CEO, Jensen Huang.

El mercado de HBM se calienta ante el aumento de la demanda de IA

La memoria de alto ancho de banda se ha convertido en uno de los segmentos más disputados de los semiconductores, con los tres principales fabricantes de memoria compitiendo por abastecer los aceleradores de las series H200 y B100 de Nvidia. El HBM apila múltiples dados DRAM verticalmente, conectados mediante vías de silicio, para ofrecer el enorme rendimiento de datos necesario para entrenar modelos de lenguaje de gran escala.

El HBM3E de 12 capas de Samsung ingresa a un mercado donde la oferta ha estado constantemente por debajo de la demanda. Micron declaró en marzo que su suministro de HBM para 2025 ya estaba agotado, y SK Hynix —el primero en enviar HBM3E en volumen— ha estado operando a plena capacidad desde finales de 2024. La incorporación de un tercer proveedor cualificado por parte de Samsung podría aliviar la presión sobre los precios para Nvidia y otros compradores de chips de IA, al tiempo que comprime los márgenes de los fabricantes de memoria.

El fabricante de chips surcoreano también resolvió una posible disrupción la semana pasada, alcanzando un acuerdo sin precedentes con su sindicato que evitó una huelga al prometer generosas bonificaciones a los trabajadores de chips de memoria. El acuerdo garantiza la estabilidad de la producción durante la crítica fase de aumento de producción de HBM.

Impacto en las inversiones

Para los inversores, la carrera por el HBM introduce fuerzas contrapuestas. La entrada de Samsung como proveedor de volumen podría expandir el mercado total direccionable para HBM —proyectado para alcanzar los 40 000 millones de dólares para 2027, según estimaciones de la industria— al ofrecer a Nvidia y otros diseñadores de chips de IA una mayor flexibilidad de abastecimiento. Pero también amenaza el poder de fijación de precios del que Micron y SK Hynix han disfrutado durante el período de restricción de la oferta.

Micron cotiza a aproximadamente 12 veces las ganancias futuras, un descuento frente al promedio de 18 veces del índice de semiconductores de Filadelfia, lo que refleja la cautela de los inversores ante la presión competitiva. La división de chips de memoria de Samsung, que volvió a la rentabilidad a principios de 2025 tras una prolongada recesión, ahora enfrenta el desafío de convertir el volumen de HBM en una expansión sostenible de márgenes.

Este artículo es únicamente con fines informativos y no constituye asesoramiento de inversión.