Micron Technology presentó nueve productos de memoria y almacenamiento en Computex 2026, desde HBM4 hasta UFS automotriz, mientras que las cargas de trabajo de IA duplican el contenido de memoria por servidor en tres años.
Atrás
Micron lanza 9 productos de memoria y almacenamiento para IA en Computex
La duplicación del contenido de memoria por servidor en los últimos tres años ha superado a la computación como el principal cuello de botella en el rendimiento de los sistemas de IA, afirmó Micron Technology el lunes en Computex 2026 en Taipéi.
"El rendimiento del sistema ahora está impulsado por el ancho de banda y la capacidad de la memoria, más que nunca", dijo Sumit Sadana, vicepresidente ejecutivo y director comercial de Micron. "Este cambio estructural en el ecosistema de semiconductores convierte a la memoria y el almacenamiento en activos estratégicos indispensables".
La compañía exhibió nueve productos en su portafolio. Su HBM4 de 36 GB en pila de 12 capas ofrece un aumento de 2,6 veces en el rendimiento de inferencia de modelos de lenguaje grandes por cada ganancia de 2 veces en ancho de banda, según simulaciones internas de Micron. El módulo SOCAMM2 de 256 GB —la oferta de mayor capacidad del mundo— consume un tercio de la energía y ocupa un tercio del espacio de los RDIMM estándar. Micron también probó un RDIMM DDR5 de 256 GB construido en su proceso de vanguardia 1γ (1 gamma) capaz de alcanzar 9.200 megatransferencias por segundo, un 40% más rápido que los módulos actualmente en producción en volumen.
La ofensiva de productos llega en un momento en que las longitudes de contexto de IA crecen 30 veces al año, según datos de Epoch AI citados por Micron, lo que obliga a los operadores de centros de datos a replantear las jerarquías de memoria. Micron, que cotiza en el Nasdaq bajo el ticker MU, está invirtiendo en fabricación en Estados Unidos, India, Japón, Singapur y Taiwán para entregar estos productos a escala. Su SSD 9650, la primera unidad PCIe Gen6 disponible comercialmente en el mundo, y el 6600 ION de hasta 245 TB se dirigen a los niveles de caché KV persistente y data lake de la infraestructura de IA.
Del Centro de Datos al Tablero
El portafolio de Micron se extiende más allá del centro de datos. El LPCAMM2 ofrece LPDDR5X a hasta 9.600 MT por segundo en un diseño modular de 128 bits para PC de IA más delgadas. La memoria gráfica GDDR7 alcanza 1,5 TB por segundo de ancho de banda del sistema, un 60% más que GDDR6, con hasta un 33% más de rendimiento de inferencia de IA. El SSD cliente 4600 PCIe Gen5 de la compañía carga un modelo Llama 2 de 13 mil millones de parámetros en menos de un segundo, con una eficiencia energética un 107% mejor que su unidad Gen4 de generación anterior.
En el ámbito automotriz, el almacenamiento UFS 4.1 duplica las velocidades de lectura secuencial a 4,2 GB por segundo frente a la generación anterior, con protección térmica de hasta 115 grados Celsius y cumplimiento de seguridad funcional para sistemas avanzados de asistencia al conductor y procesamiento de IA en el vehículo.
Crece la Presión Competitiva a Medida que los Rivales Lanzan Nuevos Chips
El anuncio de Micron llega durante una semana cargada de Computex. Nvidia presentó su superchip para portátiles RTX Spark Arm con hasta 128 GB de memoria LPDDR5X unificada, mientras que Intel lanzó los procesadores Arc G3 para juegos portátiles y Qualcomm introdujo su plataforma Snapdragon C de nivel básico dirigida a portátiles de 300 dólares. Las oleadas simultáneas de productos destacan la apuesta de la industria de que la inferencia de IA migrará de los centros de datos en la nube a los dispositivos periféricos (PC, teléfonos inteligentes, vehículos y sistemas integrados), cada uno de los cuales requiere memoria más densa y eficiente energéticamente.
Para los inversores, la pregunta es si la amplitud de Micron en HBM, DDR, LPDDR, GDDR y NAND le otorga una ventaja sobre rivales más centrados como Samsung Electronics y SK Hynix, que también compiten en el mercado de memoria de alto ancho de banda. Los procesos tecnológicos 1γ DRAM y G9 NAND de Micron sustentan su estructura de costos, mientras que sus factores de forma SOCAMM y LPCAMM apuntan al borde con restricciones de energía donde los RDIMM tradicionales no pueden competir.
Este artículo es solo para fines informativos y no constituye asesoramiento de inversión.
Características
© 2026 Edgen impulsado por