Puntos clave:
El Roundhill Memory ETF se ha disparado un 150% desde su lanzamiento en abril, pero su futuro depende ahora de si los precios de los chips de memoria pueden sostener su rally impulsado por la IA hasta fin de año.
Los precios de los chips de memoria determinarán si el Roundhill Memory ETF (CBOE: DRAM) extiende su ganancia del 150% en lo que va de año o revierte su rumbo, ya que el primer fondo de memoria pura cotizado en EE. UU. entra en un ciclo de precios crítico.
"Los ciclos de precios de DRAM y NAND han oscilado históricamente entre un 40% y un 60% en un solo año, y este ciclo alcista impulsado por la IA no es una excepción", afirmó Nam Hyung Kim, analista de semiconductores de Arete Research. "La cuestión es si la demanda de HBM puede compensar la caída de la memoria básica que suele producirse a continuación".
DRAM se lanzó el 2 de abril con 15 participaciones concentradas en tres nombres: Micron Technology con un 28,4%, SK Hynix con un 27,1% y Samsung Electronics con un 19,5%. El fondo ha acumulado 15.000 millones de dólares en activos netos y se convirtió en el ETF más rápido en alcanzar los 6.500 millones de dólares, según datos de Yahoo Finance. Su rentabilidad del 150,6% supera ampliamente la del iShares Semiconductor ETF (SOXX), con un 90%, y la del VanEck Semiconductor ETF (SMH), con un 68,8%, en el mismo periodo.
La estrecha concentración que impulsó el rally de DRAM también genera vulnerabilidad. Si los precios de la memoria caen —como ocurrió en la recesión de 2022, que borró el 40% de los ingresos de Micron— la estructura sobreponderada del fondo significa que las malas noticias de una sola participación podrían desencadenar pérdidas desproporcionadas. Los inversores que poseen DRAM están apostando de forma apalancada al ciclo de precios de la memoria, con escasa diversificación que amortigüe un giro bajista.
La demanda de HBM es el comodín
La memoria de alto ancho de banda se ha convertido en el cuello de botella del despliegue de infraestructura de IA. Los chips HBM3E, que ofrecen 1,2 terabytes por segundo de ancho de banda por pila, se utilizan en las GPU H200 de Nvidia, mientras que la próxima generación HBM4 supera los 3 terabytes por segundo. SK Hynix y Micron han informado de primas de beneficio 5 veces superiores en los productos HBM en comparación con la DRAM estándar, según sus presentaciones de resultados.
El avance hacia HBM4 ha obligado a los fabricantes de hardware de IA a rediseñar los sistemas en torno a la nueva arquitectura de memoria, acelerando la demanda. Pero los precios superiores que disfrutan hoy los fabricantes de memoria no están garantizados. Samsung, SK Hynix y Micron han anunciado ampliaciones de capacidad para la producción de HBM, lo que aumenta el riesgo de exceso de oferta a principios de 2027.
Qué supondría una caída de precios para DRAM
Una repetición de la corrección de la memoria de 2022 —cuando los precios de DRAM cayeron un 45% y los de NAND un 55%, según datos de TrendForce— golpearía con más fuerza a las principales participaciones de DRAM. Micron, que obtiene aproximadamente el 70% de sus ingresos de productos DRAM, se enfrentaría a la exposición más directa. Samsung y SK Hynix, aunque más diversificadas en NAND y servicios de fundición, seguirían sufriendo una presión significativa sobre sus beneficios.
La ratio de gastos del 0,65% del fondo es competitiva con la de los ETF de semiconductores más amplios, pero su falta de diversificación en acciones de procesadores o fabricación implica que no ofrece ninguna cobertura frente a una recesión sectorial específica. SOXX y SMH, por el contrario, mantienen posiciones en Nvidia, TSMC y ASML, lo que proporciona exposición a los mercados de diseño de chips y equipos que podrían tener un mejor comportamiento durante una corrección de la memoria.
Para los inversores, el cálculo es sencillo: DRAM ofrece la mayor rentabilidad potencial del universo de ETF de semiconductores si los precios de la memoria se mantienen, pero conlleva el mayor riesgo de caída si se vuelven adversos. La relación precio-beneficio del fondo, de 55,4 veces, basada en los beneficios pasados de sus participaciones, deja escaso margen de error. Cualquier señal de debilitamiento de la demanda de HBM o de aumento de los niveles de inventario podría desencadenar una revalorización que borre una parte significativa de las ganancias acumuladas en el año.
Este artículo tiene fines meramente informativos y no constituye un asesoramiento de inversión.
